1. BC859AMTF
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厂商型号

BC859AMTF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SOT-23 PNP GP AMP

内部编号

3-BC859AMTF

#1

数量:51137
1+¥0.5394
25+¥0.5394
100+¥0.4623
500+¥0.4623
1000+¥0.4623
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

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25+¥0.5394
100+¥0.4623
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BC859AMTF产品详细规格

规格书 BC859AMTF datasheet 规格书
BC856-860
BC859AMTF datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 110 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 310mW
频率转换 150MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 110@2mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -65
最大功率耗散 310
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 150(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 30
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 150MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 650mV @ 5mA, 100mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 310mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 110 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 110
直流电流增益hFE最大值 800
单位重量 0.002116 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 30 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 - 250 mV
集电极最大直流电流 0.1 A
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 0.1 A
增益带宽产品fT 150 MHz
最大功率耗散 310 mW
集电极 - 基极电压VCBO - 30 V
最低工作温度 - 65 C

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